switch to russian now the language is English
To home
Contacts
All about the preparation of a paper for MES conference
Forum of MES conference
Code of ethics publications
Forum of MES conference
   To home   Contacts   For authors   Code of ethics publications   Forum  
Private cabinet



Logout
Benefits provided by the participants of the sponsorship program of conference MES-2020
   Organizing Committee   Program Committee   Executive Committee   Proceedings  
 

MES-2020


All-Russia Science&Technology Conference
"Problems of Advanced Micro- and Nanoelectronic Systems Development"
devoted to urgent issues of design automation of microelectronic systems, SoC, IP-blocks and a new element base of micro-and nanoelectronics. These issues have been and remain actual to science and technology, as evidenced by the major topics of Annual International Conference on CAD and the development of micro-and nanoelectronic devices.
MES is the largest conference in the field of CAD microelectronics in Russia and CIS countries.
Proceedings of the MES conference is included in  HAC list (issue 19.04.2019, pos. 1837) of Russian scientific journals, where should be published the main results of theses for the degree of doctor and candidate of sciences.


Доклады МЭС 2020 с максимальным рейтингом по результатам открытого онлайн голосования

Направление «Автоматизация проектирования микро- и наноэлектронных схем и систем»
  • 1-е место - Учет одновременного воздействия низких температур и проникающей радиации на характеристики биполярных и JFET транзисторов при схемотехническом моделировании, авторы О.В. Дворников1, В.А. Чеховский2, Н.Н. Прокопенко3, Я.Д. Галкин4, А.В. Кунц4
    • 1ОАО “Минский научно-исследовательский приборостроительный институт”, г. Минск
    • 2“Институт ядерных проблем” Белорусского государственного университета, г. Минск
    • 3Донской государственный технический университет, г. Ростов-на-Дону,
    • 4Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, г. Минск
  • 2-е место - TCAD and SPICE Models for Account of Radiation Effects in Nanoscale MOSFET Structures, авторы K. O. Petrosyants1,2, D. A. Popov1, M. R. Ismail-Zade1, L. M. Sambursky1,2, B. Li3, Y. C. Wang3
    • 1National Research University Higher School of Economics (Moscow Institute of Electronics and Mathematics), Moscow, Russia,
    • 2Institute for Design Problems in Microelectronics of Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia/li>
    • 3Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China
  • 3-е место - Иерархический подход к трассировке реконфигурируемой системы на кристалле островного типа, авторы М.А. Заплетина, Д.А. Железников, С.В. Гаврилов
    Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН, Москва
Направление «Разработка перспективных микро- и наноэлектронных элементов, схем и устройств»
  • 1-е место - Эквалайзеры с дробной задержкой и обратной связью на базе быстрых RLS-алгоритмов, автор В.И. Джиган
    Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН, Москва
  • 2-е место - Влияние линейных размеров термоэлемента на выходные характеристики термоэлектрического генератора, авторы В.В. Лобода, Р.Д. Буслаев
    Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
  • 3-е место - 12-разрядный дельта-сигма АЦП для мониторинга состояния высокотемпературных объектов, авторы А.С. Коротков, Д.В. Морозов, М.М. Пилипко, М.С. Енученко
    Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого

Авторам докладов, занявших первые места по обеим номинациям, будут вручены дипломы победителей конкурса и денежная премия 50 000 рублей (одна на всех соавторов докладов). Авторам докладов, занявших вторые и третьи места, будут вручены дипломы за соответствующие места в конкурсе.

Рейтинги первых 30 докладов (общий список по обеим номинациям) можно посмотреть здесь или здесь. Также авторы могут ознакомиться с рейтингом своей статьи войдя в личный кабинет на сайте конференции.

Авторам 10 докладов, получивших при голосовании максимальное количество баллов, будет предложено на основе докладов подготовить расширенные варианты статей для журналов, индексируемых в SCOPUS.

Победителей – авторов докладов всех предшествующих конференций по наибольшему цитированию в изданиях, индексируемых в SCOPUS за последние пять лет, принято решение не определять, поскольку ни один из авторов не представил списка цитирования.


Official partners of the conference

Sponsors of conference
CADFEM CIS Megratec-Inline Group
ЗАО "ПКК Миландр" ОАО НПЦ "ЭЛВИС" АО «МЦСТ»

Informational support in printed editions
Журнал "Информационно-управляющие системы" Журнал «Информационные технологии» Известия высших учебных заведений. Электроника Журнал "Нано- и микросистемная техника"

Copyright © 2009-2020 IPPM RAS. All Rights Reserved.
Design of site - IPPM RAS
Forum       Feedback